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O desafio de simular modelos de muitos corpos com sistema físicos análogos requer tanto precisão experimental quanto temperatura de operação extremamente baixa. A implantação atomicamente precisa de doadores em Si permite a construção de nanofios por projeto, e investigamos a aptidão de tais sistemas de elétrons interagentes como um simulador do modelo de Fermi-Hubbard por demanda. Devido ao peculiar comportamento oscilatório de orbitais do doador, propriedades dessas cadeias são fortemente, e de forma não monótona, impactadas pela distância entre doadores (R). Propriedades do estado fundamental (T=0K), como a correlação spin-spin, mostram-se robustas sobre temperaturas de até 4K para alguns valores de R.  Permitindo flutuações dos sítios ocupados pelos doadores testamos a robustez do modelo em presença de desordem. Nossos resultados sugerem que cadeias finitas de doadores em Si podem servir como um simulador analógico para sistemas fortemente correlacionados. Esse simulador é, de muitas formas, complementar aos baseados em átomos frios em redes óticas, enquanto esse último permite um maior controle do parâmetro de tunelamento a sobrevivência de correlações em altas temperaturas do primeiro sugere que essas tecnologias são aplicáveis em diferentes regimes.