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Seminário de Mecânica Estatística

O seminário de Mecânica Estatística desta semana será apresentado na 6a feira, 19/04/2013, às 16:00h, na sala 201do Instituto de Física.

Título: O papel da Geometria de um Material Condutor nas Correspondentes Propriedades de Emissão Eletrônica

Apresentador: Thiago Albuquerque de Assis (Depto. de Física, UFBA)

Resumo:
A tecnologia de microeletrônica de vácuo (VMET) é um campo que tem ganhado
um grande impulso durante as últimas décadas. Elétrons emitidos por
protuberâncias salientes, como resultado de um campo elétrico aplicado em
consequência de uma diferença de potencial elétrico, tunelam através de uma
barreira de potencial, resultando em uma densidade de corrente eletrônica
finita. Desde que algumas aplicações requerem correntes elétricas intensas
geradas para baixos valores de potenciais elétricos do ânodo, pesquisas
envolvendo a função trabalho de materiais e suas geometrias são de grande
importância prática. A próxima geração destes dispositivos emissores de
elétrons requererá um estudo sistemático de vários parâmetros como a função
trabalho, a estrutura da superfície, a intensidade do campo elétrico externo e
a temperatura, objetivando-se investigar como a maior parte da emissão
eletrônica é originada dos níveis de energia eletrônicos na vizinhança da
barreira de potencial.
Neste seminário, apresentarei primeiramente alguns pontos fundamentais sobre
a teoria de emissão eletrônica por campo em superfícies  condutoras a
temperatura zero (T=0K), descrevendo a equação de Fowler-Nordheim (F-N)
e discutindo como esta tem sido frequentemente utilizada no ajuste de
dados experimentais, permitindo extrair informações de parâmetros físicos como
a função trabalho e o fator de amplificação de campo. Em seguida, discutirei os
resultados obtidos a partir de simulações computacionais com superfícies
catódicas irregulares modeladas por um “array” de estruturas piramidais. Será
feita uma análise de como as distâncias ânodo-cátodo e entre pirâmides
interferem no fator de amplificação de campo efetivo da superfície emissora.
Finalmente, exporei os resultados que incluem os efeitos da morfologia de
superfícies condutoras reais na densidade de corrente eletrônica total de
emissão.